エピフォトニクスは、PLZT薄膜導波路の設計技術と製造技術を リードしています。PLZTは多くのチャンネル数と様々なフォトニック機能をワンチップへ集積するために最適な
技術です。その効果的な電気光学効果は、高速制御、 電極の小型化、低消費電力化を可能にします。さらに、その高い屈折率 (2.45)によって従来の導波路の曲げ半径を減少させることが可能で、電極の小型化と相まって、チップを大幅に小型化することができます。
PLZTフォトニクスのひとつである光スイッチは、MMI-MZ (Multi Mode Interference-Mach Zhender) 構成を有しているため、波長依存性が小さい特長を有しています。PLZT薄膜の成長とPLZT導波路については、下記を御参照下さい。
エピフォトニクスは、固相エピタキシー(Solid-Phase Epitaxy: SPE)を開発し、低損失なPLZT薄膜導波路を作製することを可能にしました。SPEは、従来広く使われている気相成長技術、例えばスパッタリングやMOCVDなどとは
大きく異なります。このプロセスでは、独自に合成された金属有機化合物溶液を基板上に塗布し、大気圧中での加熱によってアモルファス膜を形成の後、 このアモルファス膜を短時間高温加熱することによって単結晶状薄膜が形成されます。このSPEは極めてシンプルであり、大規模な真空装置も必要としな
いため、大幅なコスト削減を可能にします。
PLZT薄膜は、導波路への電界印加を効率的にするために、 Nb:SrTiO3半導体基板上に形成されます。さらに新たに開発した埋め込み型導波路コア構造により、制御電極による損失や偏波依存をさらにを防ぐことを可能にしました。この効率的な構造と高効率なPLZTの特性を組み合わせることにより、画期的な次のような特長が実現されます。
- 高速スイッチング ( 10 ns)
- 低電圧駆動 (10V)
- 低光損失
- 低偏波依存
- 低消費電力
- 小型化
SPEに半導体微細加工技術を取り入れた本技術は、大きなコスト削減も保証します。また、PLZTが持つ高い屈折率を生かした急峻なS字導波路設計と、高効率な制御を可能とする導波路の最適化設計とにより、非常にコンパクトな導波路デバイスが可能
になりました。
エピフォトニクスは、20年近い研究開発によって洗練されてきた設計ノウハウと製造ノウハウ、そして多くの特許をベースとした薄膜PLZT導波路による革新的かつ効率的な製品開発力に高い優位性があります。
そして、本技術をベースとしたデバイスにより、以前は不可能であると考えられたスペックの高速集積サブシステムを可能にしました。このようなエピフォトニクスの競争力は、独自の技術開発によって蓄積された開発能力に基づきます。
そして、エピフォトニクスはしっかりとした知的所有権とノウハウをベースと しています。エピフォトニクスの知的所有権は、慶応義塾大学からの技術移転と譲渡を含め、日本およびアメリカにお
ける約50件の特許によって強固なものとなっています。
知的所有権は、前駆体合成、薄膜成長、微細加工、導波路構造、半導体上への集積など広い技術分野をカバーしています。
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