会社概要


ご挨拶  

エピフォトニクス株式会社は、20年に渡るPLZT光導波路技術の研究開発成果を基に設立されました。エピフォトニクスは独自の技術によって、特別な価値をお客様やパートナーの皆様にご提供いたします、将来の光通信や光ファイバセンシングなどのマーケットにとってより良いシステムを開発するために必要な技術を発展させ、提供 していくことが我々のミッションであると考えております。



会社概要 

会社概要
社 名 : エピフォトニクス株式会社
設 立 : 2007年12月18日
資本金 : 136百万円
業務内容 : - PLZTコンポーネントおよびサブシステムの開発、製造、販売
- PLZT光デバイスの受託開発
コア技術 : PLZT電気光学薄膜導波路技術
製品 : - 高速・低消費電力 1xN および NxN 光スイッチ
- 高速VOA

- AWG型波長スイッチ
- 光偏向器(受託開発)
- カスタム集積デバイス(受託開発)
製品の特徴 : - 超高速
- 低消費電力
- 低損失
- 小型
- 集積化
- 高い環境安定性、信頼性
拠点 : エピフォトニクス株式会社
〒242-0017 神奈川県大和市大和東1-5-6 
スリーエス大和ビル401
Phone: 046-260-3140, Fax: 046-244-3193

シリコンバレー
EpiPhotonics Corp.
832 Jury Court, Unit 3, San Jose, CA 95112
Photne: +1-408-920-7019, Fax: +1-408-920-7021

代表者 : 代表取締役社長兼CEO 梨本恵一
 
経営陣 

代表取締役社長兼CEO 梨本恵一(創業者、工学博士)

富士ゼロックス株式会社へ1983年に入社後、米MIT客員研究員、米 Xerox PARC客員研究員、富士ゼロックス株式会社プロジェクトマネージャー、富士ゼロックス・ライトウェーブテクノロジーズ株式会社代表取締役社長、のぞみフォトニクス株式会社代表取締役社長を歴任。その間、PLZT薄膜光導波路技術の研究開発、事業化、事業開発などを手がけ、2007年12月にエピフォトニクス 株式会社を創業、 現在に至る。1983年、早稲田大学大学院修士課程修了(金属工学)。1989年、 工学博士(応用物理学)。1991年、MIT ASP修了(マネージメントオブテクノロ ジー)。特許出願約80件、論文、学会講演、共著書など約100件のほか、 1999年にボストンにてMRS symposium on “Thin Films for Optical Waveguide Devices”を主宰、2006年に電子情報通信学会フォトニックネットワーク研究会賞を受賞。電子情報通信学会フェロー。IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 電子情報通信学会、応用物理学会、Materials Research Society、日本セラミックス協会会員。


採用情報 

エピフォトニクスは急成長するシリコンバレー型のハイテク企 業です。 神奈川県に本社を置き、研究開発部門の拠点施設は神奈川県大和市および米国カリフォルニ ア州サンノゼにあります。 独自の特許技術であるPLZT導波路を中心に、進化した光関連製品を設計・製造し、光通信や光ファイバセンシングなどのマーケットに向けて提供します。

エピフォトニクスは、資質がありやる気のある方にとっては可能 性を大きく広げていくことができる、グローバルでダイナミックな仕事環境を提供します。 エピフォトニクスの一員となることにご興味がござい ましたら、jobs@epiphotonics.comに履歴書・職務経歴書をご送付ください。

全ての応募書類につきましては極秘情報とし、慎重にお取り扱いいた します。