ニュース&イベント

報道発表  

2017年1月 (New!)
エピフォトニクスは、世界最高速の8x8光スイッチおよび偏波保存光スイッチを開発しました。

2016年8月
モードフィールド径3.2 um (@1550 nm)の小径コアファイバアレイをリリースしました。

2016年6月
エピフォトニクスは高速ドライバーボードを小型化・低コスト化した1x2および2x2光スイッチをリリースしました

2016年3月
2016年3月9日付日経産業新聞にデータセンタ向けPLZT光スイッチへの取り組みが掲載されました。(掲載記事)

2016年1月
NEDO平成27年度「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」採択され、OA研究所および慶応義塾大学との共同による「データセンタ・放送局向け超高速光レイヤ1スイッチの開発」を開始しました。(報道発表資料)

2013年12月
エピフォトニクスは、業界初の20 nsの速度を有するPLZT 8x8光スイッチおよびPLZT VOAを開発しました。(報道発表資料)

2011年12月
PLZT導波路技術の改善を進め、挿入損失を大幅に低減したPLZT光導波路の開発に成功しました。本開発成果による光スイッチは、来春からの出荷を予定しています。(報道発表資料)


イベント  

2017年1月 (New!)
エピフォトニクスは、米ロスアンジェルスにて3月に開催されるOFC 2017へ出展し、新開発の8x8光スイッチ、偏波保存光スイッチなどのナノ秒光スイッチを展示致します(ブース番号1319)。

2016年8月
パシフィコ横浜にて9月14日-16日に開催されるインターオプトへ出展致します(ブース番号W-27)。

2014年1月
米サンフランシスコにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2014へ出展致します(ブース番号3152)。


2013年11月
中国北京に11月に開催されるACP 2013 (Asia Communications and Photonics Conference 2013)へ出展致します。

2013年8月
東京ビッグサイトにて8月に開催されるイノベーション・ジャパン 2013へ出展致します(ブース番号ND-39 )。



2013年5月
米サンノゼにて6月に開催されるCLEO 2013へ出展致します(ブース番号1440)。

2013年1月
米ロスアンジェルスにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2013へ出展致します(ブース番号2552)。


2012年8月
エピフォトニクスは、アムステルダムにて9月に開催されるFOE 2012へ出展致します(ブース番号426)。




2012年3月
エピフォトニクスは、東京ビッグサイトにて3月に開催されるFOE 2012へ出展致します。

2012年2月
エピフォトニクスは、米ロサンジェルスにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2012へ出展致します(ブース番号2719)。

2011年12月
エピフォトニクスは、米サンフランシスコにて1月に開催されるPhotonics West 2012へ出展致します(ブース番号6084)。


2011年2月
エピフォトニクスは、米サンディエゴにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2011へ出展し(ブース番号2727)、ナノ秒の速度を実現した4x4光スイッチやVOAアレイを展示致します。

2011年2月
ロサンジェルスにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2011において、ナノ秒の速度を有する4x4 PLZT光スイッチの発表を行います。

  • (OThD3) "Nano-Second Response, Polarization Insensitive and Low-Power Consumption PLZT 4x4 Matrix Optical Switch," Keiichi Nashimoto, David Kudzuma, and Hui Han, EpiPhotonics Corp.
2010年9月
エピフォトニクスは、イタリア・トリノにて9月に開催されるECOC2010へ出展し(ブース番号550)、ナノ秒の光スイッチングが可能な4x4スイッチ、1x16スイッチなどの新製品を展示致します。

2010年7月
エピフォトニクスは、2010年7月5日-7日の間、札幌にて開催された15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010)において、招待講演を行いました。
  • (8E1-1) "High-speed switching and filtering using PLZT waveguide devices," Keiichi Nashimoto, David Kudzuma, and Hui Han, EpiPhotonics Corp.
2010年2月
エピフォトニクスは、米サンディエゴにて3月に開催されるOFC/NFOEC 2010へ出展し(ブース番号2917)、新規開発製品を展示致します。

2009年7月
財団法人光産業技術振興協会主催のフォトニックネットワーク新時代における産業・技術懇談会「光デバイスの新展開」(波長制御、スイッチング、高速変調)において、依頼講演を行いました。
2009年3月
電子情報通信学会2009年総合大会のシンポジウムセッション「大容量・高機能光通信時代を拓く光集積デバイス」にて依頼講演を行いました。
  • "PLZT 導波路による超高速光スイッチ"、梨本恵一(エピフォトニクス株式会社)
2008年9月
エピフォトニクスは、ベルギーのブリュッセルで開催されたECOC 2008において、PLZTスイッチに関しNICTとの共著による発表を2008年9月23日に行いました。
  • (Tu.3.D.7) "640 Gbit/s/port Optical Packet Switch Prototype with Optical Buffer using 1 x 8 PLZT Optical Switch and Parallel Pipeline Buffer Manager," Hideaki Furukawa (1), Naoya Wada (1), Hiroaki Harai (1), Naganori Takezawa (1), Keiichi Nashimoto (2), Tetsuya Miyazaki (1)
    1: Nat. Inst. of Information and Communications Technology, Japan
    2: EpiPhotonics Corp., Japan

2008年2月
エピフォトニクスは、2008年2月24日-28日の間、カリフォルニア州サンディエゴにて開催されたOFC/NFOEC 2008において、PLZTスイッチに関し、梨本恵一による招待講演、およびNICTまたは慶応義塾大学との共著による発表を行いました。

ニュース  


2017年1月(New!)
エピフォトニクスは、世界最高速の8x8光スイッチおよび偏波保存光スイッチを開発しました。


2013年9月
新規フォトニクスデバイスへのファイバー接続損失を極小化する小径コア・ファイバーアレイの販売を開始しました。

2013年1月
神奈川県大和市のオフィスを、1月8日付で大和市大和東1-5-6スリーエス大和ビル301Bへ移転しました。

2012年11月
ニッセイ・キャピタル株式会社を引受先として、シリーズCラウンドの資金調達を完了しました。この増資により体制を強化し、拡大しつつある需要に対応して参ります。


2011年12月
NEDOの省エネルギー革新技術開発事業の委託先として採択され、慶応義塾大学および産業技術総合研究所との共同研究開発を開始しました。

2011年2月
グローバルブレイン株式会社を引受先として、シリーズBラウンドの資金調達を完了しました。

2009年12月
エピフォトニクスは、慶応義塾大学と共同開発した新規開発の埋め込み型PLZT光導波路による光スイッチのサンプル販売を開始致しました。


2009年8月
エピフォトニクスの開発プロジェクトは、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「研究開発型ベンチャー技術開発助成事業」に係る助成事業として採択されました。
  • 申請者名: エピフォトニクス株式会社
  • 助成事業の名称: 高効率・超高速マトリックス光スイッチの実用化開発
  • 助成事業の概要: 光ネットワークノードの低消費電力化へ向けた基盤デバイスを提供するために、PLZT光導波路技術による高効率・超高速マトリックス光スイッチの実用化開発を実施する。この開発により、コアルータから将来の家庭内ネットワークに至る光スイッチングを、低消費電力、低損失、かつ超高速に行うことが可能となる。
2008年9月
当社社長の梨本は、「PLZT薄膜光導波路技術の確立による光ネットワークへの貢献」により、電子情報通信学会よりフェローの称号を授与されました。